Bluetooth технические требования, практическая реализация
Пути снижения себестоимости проектируемых устройств Bluetooth - часть 2
При производстве схем Bluetooth должны использоваться технологии полупроводниковых процессов с малым током потребления, такие как комплементарная металло-ок-сидная полупроводниковая (Complementary Metal Oxide Semiconductor — CMOS) и биполярная CMOS технология (BiCMOS). Все это наряду с эффективно спроектированным чипом, программной оптимизацией и оптимизированным управлением мощностью позволяет снизить себестоимость устройств.
Рис. 3.34. Эволюция решения radio/controller неизбежно приводит к разработке одночипового решения, совмещающего функции RF и Baseband
В качестве примера тесных рабочих взаимоотношений между поставщиками устройств и производителями оборудования Bluetooth можно привести опыт сотрудничества фирмы Philips Semiconductors и Ericsson Inc., создавших партнерство для разработки блока чипов Bluetooth. Как участник этого партнерства, компания Philips предоставила свою платформу специализированных интегральных схем (Application Specific Integrated Circuit — ASIC), свою технологию процессов CMOS и QuBIC, и опыт массового производства чипов для систем цифровой европейской беспроводной связи (DECT). (Стандарт DECT подобен Bluetooth в отношении требований к компонентам радио и baseband-обработки.) Как производитель оборудования и соучредитель Bluetooth SIG, компания Ericsson сделала вклад в обеспечение взаимодействия в виде своего ядра «Golden Bluetooth Core», наряду с программным обеспечением и проведением производственных испытаний.
Первоначальное проектирование включало baseband-процессор VWS26002 и RF-приемопередатчик UAA3558. Разработка baseband-процессора Bluetooth с интегральным процессором ARM (компания Advanced RISC Machines — производитель микропроцессоров (http://www.arm.com)) началась еще в 1999 году и привела к созданию baseband-процессора модели VWS26002, подходящего для работы в режиме point-to-point.
